【大公报讯】长鑫存储日前宣布，预计2026年底推出结合「4F2」DRAM架构及混合键合（Hybrid Bonding）技术的新一代DDR5 RDIMM伺服器记忆体。市场指出将比记忆体龙头三星早两年推出，消息触发韩国及美国半导体企业股价急挫。美国科企特斯拉CEO马斯克认为，若中国掌握特定产品的制造技术，其规模化量产能力将会超越全世界其余地区的总和。

「4F2」制程技术主要将记忆体单元内的单颗电晶体与电容器，由传统的「水平排列」改为「垂直堆叠」，使单一记忆体单元的表面占位缩小为正方形，精确配置2条位元线（Bitline）与2条字元线（Wordline）。在相同特征尺寸下，「4F2」让晶片整体的单元密度显著提升30%至50%。

科技媒体Wccftech报道，三星电子预计在2028年导入「4F2」DRAM架构。若长鑫能在2026年底推出相关产品，单以产品发布时间比较，便可能取得约两年的先机。

马斯克：中国产能可达其他国家总和

马斯克日前在社交平台X发文表示，中国若掌握某项产品的制造技术，扩大量产的能力往往超过其他国家总和，锂电池及太阳能就是典型案例。他指出，记忆体（RAM）可能成为下一个面临中国大规模量产竞争的产业，中国在目前及下一代低功耗双倍资料率（LPDDR5、LPDDR6）的技术方面快速追赶，但相信在高频宽记忆体（HBM）这类新晶片架构「将难解决」。

长鑫存储公布新一代记忆体技术突破，全球记忆体股连日急挫。费城半导体指数泻逾4%，连跌六天，蒸发1.6万亿美元。此外，韩国基准股指KOSPI下跌高达7.6%。日本日经225指数亦下跌近4%，其中半导体相关股票表现最差。