【大公报讯】记者赵一存北京报道：内地3日发布最新修订的《集成电路布图设计保护条例》，该条例将于2026年10月15日起施行。据悉，该条例此番修订为2001年出台之后20余年来首次系统性修改，新增集成光子、量子等新型集成电路布图设计保护范畴，明确侵权赔偿按权利人实际损失、侵权人获利或许可使用费倍数厘定，增设惩罚性赔偿机制。

据悉，本次修订明确扩展保护范围，破解前沿新型集成电路知识产权确权难、保护难的行业痛点。同时，新规确立清晰的权利界定标准，明确受保护布图设计以登记的复制件、图样为准，独创性声明则可以作为独创性判定解释依据，进一步厘清权利边界。

在侵权追责层面，新规大幅强化保护力度，细化赔偿核定规则。明确侵权赔偿数额优先按照权利人实际损失或侵权人违法获利确定，两项标准难以界定的，可参照布图设计许可使用费倍数合理核算。而针对恶意侵权、情节严重的行为，可适用惩罚性赔偿，赔偿额度提升至1倍以上5倍以下，同时涵盖权利人为维权支出的合理开支，全方位压实侵权责任。

保护知产 激发研发主体积极性

针对此番发布的新修订条例，国家工业信息安全发展研究中心知识产权所副所长黄蕴华表示，2001年版条例仅聚焦传统电子运算集成电路，已无法适配当下光子、量子芯片等前沿技术的发展需求。她认为，当前光电融合、量子集成等新技术快速迭代，新型芯片设计突破传统技术范畴，原有法律界定存在保护盲区。

黄蕴华指出，此次修订是对产业技术变革的前瞻性回应，通过立法明确新型集成电路布图设计的合法保护地位，从制度层面化解新型芯片知识产权确权、维权难题。同时，新规完善的侵权赔偿、成果激励、权利流转规则，能够有效激发研发主体创新积极性。