【大公报讯】记者赵臣、朱顺杰合肥报道：2026世界制造业大会9月20日在安徽省合肥市开幕。本届大会英国担任主宾国，共邀请来自全球1000余位重量级嘉宾，其中包括外国政要及部长级官员、外国驻华使领馆官员、国际组织负责人，以及境外世界500强及跨国公司总裁级高管等500余位外方代表参会。美国、法国、俄罗斯等国有超40家企业组团参展。大会期间，预计共有790个项目签约，涉及总投资3634.1亿元（人民币，下同）。

在开幕式发布环节，长鑫科技宣布其第五代技术平台已正式量产。

关键指标超越国际最先进水平

据长鑫科技集团股份有限公司副总裁骆晓东在发布中介绍，长鑫科技采用创新的四重自对准图形工艺，制成顶尖业内已量产的最先进工艺平台。通过变革工艺流程，实现器件性能突破，存储密度大幅提升。「我们用四重曝光技术，把内存阵列语言区域间距做到11.95纳米，接近全球量产的最先进水平；我们通过工艺改进、材料迭代，把存储器电容深宽比做到了45：1，保证了我们数据安全的存储；我们还开发了适配DRAM工艺的高阶电金属栅工艺，把核心动能区高度降到了6762纳米。这个关键指标超越了国际最先进的工艺平台。」

骆晓东称，正是因为长鑫科技在存储阵列和外围逻辑阵列都实现了跨越式的微缩，其第五代工艺平台的存储密度有了大幅度提升。同等条件下，每张晶圆的产出，跟上一代平台相比，提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR 5X产品，现已进入正式量产，并全面进入到国产主流的旗舰手机。

据骆晓东介绍，在第五代平台的研发过程中，长鑫科技还引入了适配DRAM生产的AI大模型和全流程数字孪生仿真技术，大大提升了研发效率。同时，长鑫科技还和国内设备厂商进行联合攻关，在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现了突破。