长鑫存储的4F2进展，是全球技术分歧中颇受关注的中国变量。2026年10月，长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上正式宣布，自研4F2 架构取得关键突破，融合4F2架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM将于2026年底推出，正式切入服务器内存市场。

据悉，长鑫的4F2方案采用自研的VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包围栅）晶体管结构，通过垂直包围沟道设计强化栅极控制能力，解决漏电与短沟道效应问题，同时实现单元面积的大幅缩减。从技术积累来看，长鑫自成立起就启动了4F2研究和专利布局，目前公开相关专利族已超300件。配套工艺方面，长鑫第五代DRAM技术平台（G5平台）已于2026年9月正式量产，每片晶圆裸片数量较上一代提升50%以上，为4F2产品落地打下了工艺基础。

如果年底产品如期推出，这将是全球首款量产的4F2 DRAM产品，市场指这比记忆体巨企三星早两年推出。但需要客观看待的是，服务器级RDIMM对可靠性、兼容性要求极高，首代产品更多具备技术验证意义，大规模量产良率和市场接受度仍待观察。\半导体行业观察