9月16日上午，行政长官李家超公布《香港特别行政区经济和社会发展第一个五年规划（2026-2030年）》（简称五年规划），以对接国家「十五五」规划为主旨，布局宏大，结构精密，更可见特区政府破除「小政府」教条的决心。在香港面对科技革命浪潮、产业转型需求的当下，特区政府和创科业界尤其需要这份五年规划，以执行更具体和更具针对性的新产业政策。其中，微电子半导体产业无疑是香港打造国际创科中心，以至突破前沿技术瓶颈的关键之一，五年规划直接将全面推进微电子产业链拓展列为重大科技项目之一，反映香港的创科政策，正由传统科研及金融科技，逐步延伸至硬科技、先进材料及智能制造等核心技术领域。

从五年规划有关「优化创新科技发展体制」的部分中，可以看出特区政府在制定创科政策时的几个思路转变：

第一是政策定位有所提升，创科政策由以往较注重支援性的方向，上升为香港经济转型和产业战略的主轴。第二，更加重视产业化，例如推动更多应用场景、智能生产线、科研成果转化及耐心资本，避免科研成果与市场脱节。第三，着力解决资源配置问题，布局三大园区、五大研发机构，同时推进多个专项基金，为创科产业提供从硬件到经济上的基础支援。

从硬件到经济提供支援

而从具体落实方面，更可见政府汇聚资源全力打造国际创新科技中心及国际高端人才集聚高地的决心。例如与去年施政报告相比，今年施政报告把确立的机构框架进一步「落地化、产业化和应用化」。2025年的重点是完成布局、建立机构和投入资源；2026年则更强调研发成果转化、产业应用、技术认证、资本支持及新型工业化。以电子研发院为例，2025年施政报告着重推进两条第三代半导体试验生产线，2026年的重点则由前置的「建线」，进一步转向「试产、验证和产业化」。

施政报告更就筹建国家制造业创新中心提出明确目标，现时微电子研发院聚焦第三代半导体芯片技术研发与试产，并正全速组装的两条中试线，将在今年底投入运作。这目标符合半导体产业的全球价值链分布以及发展态势。第三代半导体主要包括碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带材料。与传统矽基器件相比，这些材料具备高耐压、高频、高温及低能耗等优势，适用于新能源汽车主驱逆变器、快速充电、光伏及储能、智能电网、5G／6G通信、数据中心和工业电源。

微电子研发院目前正以SiC和GaN为重点，目标是推动研发成果由「1」扩展至「N」，支援新能源汽车、工业及消费电子和可再生能源等应用。第三代半导体的全球需求，正受到能源转型、电气化和人工智能基础设施三重因素推动。中国内地在SiC衬底，功率器件及新能源汽车供应链方面加快追赶，并形成较完整的材料、外延、器件、模组和终端应用体系。据行业研究资料，2025年我国第三代半导体功率电子市场约为227亿元人民币，按年增长28.6%。这既为香港提供大湾区产业协作机会，也意味香港并不是单纯重复内地大规模晶圆制造投资，而是集中在发展研发、中试、设计、认证、专业服务和国际化等较具比较优势的环节。

形成区域性产业集群

在五年规划中，政府没有选择另建院校，而是将原有微电子研发院的定位扩展为「公共技术平台＋中试验证平台＋产业协同平台」，背后经过深思熟虑。首先，两条中试线本就可以向大学、初创企业、内地企业及国际企业开放，发挥提供器件设计的功能。第二，基于五年规划的定位，这方便特区政府进一步建立清晰的技术路线图。SiC方面可聚焦高压功率MOSFET、二极管、功率模组、车用逆变器及光伏储能；GaN方面则可聚焦高频功率器件、快充、数据中心电源、射频器件和6G前端。特区政府不必平均分配资源，而应按照技术成熟度、企业需求和大湾区产业链优势，确定若干可在三至五年内形成产品的重点项目。第三，相关政策可集中资源令微电子研发院成为香港首个国家制造业创新中心的技术中枢，与国家工业和信息化部、深圳及大湾区企业建立联合攻关机制，让香港科研平台更有效接入国家产业链和标准体系，未来可进一步建立跨境样品测试、工艺数据合作、知识产权分配及成果转化机制。

五年规划已为香港第三代半导体发展提供重要政策起点，微电子研发院两条中试线和国家制造业创新中心更是关键抓手。香港的定位不是与内地和海外企业竞逐全面晶圆产能，而是发挥国际化、科研、金融、法律及专业服务优势，集中突破功率半导体中试、设计、封装、测试、认证和系统应用。若能把微电子研发院建设成连接国家产业链、香港科研和全球市场的公共技术平台，香港有望在SiC、GaN及新一代功率电子领域形成具特色的区域性产业集群。 新民党东区区议员