2026年8月26日下午，由赛晶科技(00580.HK)集团主办的“AIDC供电安全与能效研讨会”在深圳成功举办。本次研讨会聚焦AI时代背景下数据中心供电系统面临的前沿挑战，围绕固态断路器、固态变压器、功率半导体、薄膜电容器等关键技术方向，汇聚海内外专家学者、客户伙伴及行业媒体等各界来宾70余人，共同探讨高功耗AI数据中心供电安全保障与能效提升路径。

固态断路器：微秒级分断 筑牢供电“第一道防线”

在主题分享环节，赛晶科技子公司Astrol首席执行官Michael Geissimann率先带来《固态断路器：下一代人工智能数据中心的供电保护》报告。依托Astrol在船舶直流电网领域积累的十余年固态直流断路器项目经验，该公司计划在中国嘉善建设规模化生产基地，并推出全新B平台固态断路器产品。

据介绍，该产品适配800V数据中心直流系统，电流覆盖125A至10,000A，采用IGBT与碳化硅器件，具备微秒级快速分断能力，采用模块化机架设计，支持即插即用。报告系统分析了AIDC机柜、机架、储能系统及集群配网等不同层级的保护需求，借鉴船舶直流电网的环网与冗余母线保护经验，为算力基础设施电力保护提供了海外工程实践参考。

目前，B平台海事及轨道交通版本正在开展认证测试，计划明年量产;数据中心版本将于今年年底交付首批样机。

固态变压器：打通新型电力系统与算力基础设施的技术连接

清华大学、怀柔国家实验室赵彪教授随后发表《支撑新型电力系统构建的固态变压器创新实践》主题演讲。作为电力电子变压器国际标准的牵头制定者，赵彪教授介绍了固态变压器在新能源、直流输电、AIDC供电、重卡超充等多场景下的应用价值。

报告重点解读了新能源大基地全直流汇集方案，指出直流组网可规避交流同步稳定难题，缩减变压层级、提升传输效率。其团队采用中频大功率器件路线，通过增大单模块容量、减少器件数量提升系统可靠性，已落地青海50兆瓦、新疆200兆瓦国家级示范工程。同时，报告对比了碳化硅高频方案与中频大功率方案在效率、体积和成本上的取舍，并分享了器件直串、系统无断路器的电流阻断等工程方案，为新型电力系统与AI算力基础设施的技术融合提供了可行路径。

功率半导体：碳化硅增长强劲 IGBT价值不可替代

赛晶科技子公司SwissSEM首席执行官Lars Knoll带来《赋能AI时代：面向固态变压器与数据中心的先进功率半导体及模块》分享。结合行业数据，他指出碳化硅器件增长势头强劲，但硅基IGBT在相当长时间内仍具备不可替代的应用价值。

他介绍了赛晶自研的IGBT与碳化硅MOSFET技术，并重点推介了今年在纽伦堡首发的三大新品——2300V XP高压模块、1200V/1400V Easy2B模块及1200V ED大电流Pin-Fin模块。针对碳化硅器件，公司通过晶圆缺陷筛选工艺，保障多芯片并联参数一致性，提高模块良率。

面向800V直流AI数据中心供电、固态变压器及固态断路器场景，Lars Knoll介绍了2300V碳化硅器件的开发进展与高良率实现路径，提出将推出紧凑型双向开关模块，并对比了1200V与1700V器件在导通损耗与系统成本之间的权衡关系，系统解析了算力供电功率半导体的技术演进方向。

薄膜电容器：应对宽禁带器件高频化挑战

赛晶科技子公司宁波海融电器总经理于智强作《宽禁带器件应用下的薄膜电容器技术发展》专题报告。他指出，宽禁带器件高频化带来了电容器损耗上升、电流分布不均、内部热点温差大等挑战。结合金属化薄膜电容的自愈特性，他剖析了杂散电感、并联元件电流偏移等工程痛点，并从优化膜面电流分布、改进喷金工艺、对称化母排设计、新材料升级及集成液冷散热等方面提出了解决方案。

经工程验证，上述方案可有效降低温升、缩小器件温差。于智强同时展望了集成封装、新型介质材料、智能化在线监测等发展方向，提出高频大功率场景需要产业链协同定制开发，并介绍了下一代薄膜电容器面向AIDC应用的研发方向与工程实践。

产学研协同，为AIDC供电安全注入新动能

当前，AI算力快速迭代，AIDC对供电可靠性、电能转换效率提出了前所未有的严苛要求。本次赛晶科技主办的研讨会，搭建起中外产学研交流的高效平台，围绕固态断路器、固态变压器、功率半导体、薄膜电容等关键装备，从芯片、器件到系统方案展开深度碰撞。与会专家一致认为，算力基础设施供电安全与能效提升，已从单一设备优化演变为覆盖材料、器件、装备、系统的全链条协同创新命题。

赛晶科技方面表示，未来将持续集结全球技术力量，深耕电力电子核心技术，推动关键装备国产化与工程化落地，为AIDC产业的安全、高效、高质量发展提供坚实支撑。