人工智能（AI）的爆发式发展正在颠覆传统存储行业的价值逻辑，存储芯片不再是简单的数据“容器”，而是成为AI系统的“工作记忆”与算力底座。2025年下半年，全球存储芯片市场掀起“史诗级”涨价潮，这场由AI“以存代算”需求驱动的产业变革，深刻揭示了存储芯片与人工智能之间唇齿相依的协同关系。

从技术本质来看，AI的核心是数据的处理与学习，而存储芯片则决定了数据的存储密度、访问速度与交互效率，两者构成了智能计算产业链的核心双引擎。随着AI大模型从百亿级向万亿级参数跨越，从云端训练向边缘推理延伸，存储芯片正经历从“周期品”到“AI基础设施”的属性转变，其技术迭代速度、性能指标与产业格局都在被AI深度重塑。

在AI发展初期，行业竞争焦点集中于算力提升。但随着大语言模型、多模态模型的规模化应用，数据处理场景发生根本性变化：万亿参数模型的训练需同时调用海量训练数据、中间结果与模型权重，传统“CPU（中央处理器）＋GPU（图形处理器）＋普通存储”的架构暴露出严重的“存储墙”瓶颈──数据在存储介质与运算单元之间的传输延迟，成为制约AI效率的核心因素。这一背景下，“以存代算”理念应运而生，存储芯片的性能指标逐渐超越算力成为决定AI系统效率的关键变量。

与传统存储场景相比，AI对存储芯片的需求呈现三大特征：一是高带宽，需支撑多模态数据的并行读写，AI服务器对存储带宽的需求是普通服务器的4倍至8倍；二是低延迟，模型训练与推理对延迟的敏感度达到微秒级，否则将导致运算单元空转；三是大容量，单台AI服务器DRAM（动态随机存取记忆体）需求量可达普通服务器的8倍，万亿参数模型训练需PB（Petabyte，拍位元组）级存储容量支撑。这种需求变革推动存储芯片从单纯的容量扩张，转向带宽、延迟、容量与能耗的多维优化。

多模态AI的兴起进一步加剧了存储压力。文本、图像、音频、视频等多类型数据的融合处理，要求存储系统同时支持顺序读写与随机访问，具备灵活的容量扩展能力。华为OceanDisk LC 560大容量盘单盘物理容量达245TB（Terabyte，兆位元组），读带宽14.7GB/s（即每秒能传送14.7亿位元组（Byte）的数据量，而GB/s为GigaBytes per second的缩写，即为每秒吉字节），可使多模态语料库预处理效率提升6.6倍，成为集群训练场景的核心存储方案。这种场景化需求的分化，推动存储芯片向专业化、定制化方向发展。

数据存储高速扩容

AI的发展本质上是数据驱动的革命，数据生成量的爆发式增长直接拉动存储芯片需求扩容。市场预计到2030年，全球每年产生的数据总量将达1000ZB（Zettabyte，皆位元组），较2020年增长23倍；其中AI相关存力总量占比将达63%，较2020年增长500倍。这种增长不仅体现在容量规模上，更表现为数据访问模式的复杂性提升──AI系统需对海量非结构化数据进行实时分析与快速调用，对存储芯片的IOPS（每秒处理的读写操作次数）与响应速度提出极致要求。

面对AI需求的冲击，DRAM与全称为快闪记忆体（NAND Flash）两大传统存储品类通过技术迭代实现性能跃升。在DRAM领域，DDR5（第五代双倍资料率同步动态随机存取记忆体）内存成为AI服务器的标配，其接口速度是DDR4（第四代双倍资料率同步动态随机存取记忆体）的2倍，功耗降低30%，延迟控制在13ns（nanosecond，纳秒）以内，完美适配AI服务器的内存扩展需求。NAND Flash领域，3D堆叠技术成为容量提升的核心路径，长江存储已量产232层TLC 3D NAND，接口速率3600MT/s（Million Transfers per Second，即为每秒百万次数据传输），良率稳定在95.2%，月产能近13万片，占全球NAND产能8%，目标2026年底将市占率提升至15%。华为、三星等企业推出的AI专用SSD（固态硬盘），通过硬件优化与软件协同，实现存储性能与AI工作负载的精准匹配。

长期以来，全球存储芯片市场被三星、SK海力士、美光等国际巨头主导，形成高度集中的竞争格局。在DRAM领域，三星、SK海力士、美光合计占据全球95%以上的市场份额；NAND Flash市场中，三星、铠侠、美光、SK海力士、西部数据五大厂商市占率超90%，这种垄断格局长期制约着全球存储产业的创新活力。但AI需求的爆发式增长，为市场格局重构带来新机遇，国际巨头纷纷调整战略重心，向AI高端存储倾斜。

三星作为全球存储芯片龙头，加速推进HBM3e（高频宽记忆体）与3D NAND（三维非挥发性快闪记忆体）技术迭代，同时推出超高速颗粒产品匹配AI SSD需求，应对GPU直接调度数据的技术趋势。SK海力士在HBM领域占据领先地位，其HBM3产品市占率超50%，并通过与英伟达深度合作，成为AI服务器存储的核心供应商。美光聚焦AI服务器存储市场，加速PCIe Gen5 SSD与HBM产能扩张，受益于AI需求增长，2025年营收增速显著回升。铠侠推出基于英伟达需求打造的“AI SSD”产品，通过与英韧科技等主控厂商合作，强化在AI存储领域的竞争力。

国际巨头的战略转型带来市场结构变化：一方面，高端AI存储市场竞争加剧，技术迭代速度加快；另一方面，国际巨头将中低端产能向高端转移，为国产存储芯片企业腾出市场空间。2025年全球存储芯片市场规模预计达1938亿美元，其中AI服务器存储需求增速超30%，成为行业增长的核心引擎，这种结构性增长为后发企业提供了差异化竞争机会。

国产芯片迎来机遇

在AI驱动的存储产业变革中，国产存储芯片企业迎来罕见的战略窗口，长江存储、长鑫存储、兆易创新等企业通过技术突破与产能扩张，实现从“可用”到“好用”的跨越，逐步打破国际巨头的垄断格局。2024年中国DRAM全球份额仅5%，2025年预计翻倍至10%，NAND Flash国产市占率从8%向15%迈进，国产存储正从“边缘”走进“主流”。

长江存储作为国产NAND Flash龙头，凭借Xtacking（晶栈）架构优势，已量产232层TLC 3D NAND，良率稳定在95.2%，月产能近13万片，产品已进入小米、联想等国内主流供应链，在中低端消费级与工业级市场实现规模化替代。长鑫存储作为内地唯一DRAM量产企业，2025年发布DDR5（8000Mbps，Mbps为每秒百万位元）、LPDDR5X（10667Mbps）产品，性能对标国际巨头，Counterpoint预测其2025年DDR5份额将达7%，LPDDR5（Low Power DDR）份额从0.5%增至9%，并通过与兆易创新的深度绑定，实现设计与代工的全链条协同，良率稳定在95%以上。

在存储设计与模组领域，兆易创新、江波龙等企业实现差异化突破。兆易创新在NOR Flash（非挥发性记忆体）领域全球市占率达18.5%，位居国内第一，其自主研发的DDR5 16Gb芯片速率达6400Mbps，延迟控制在13ns以内，2024年存储芯片收入51.9亿元（人民币，下同），同比增长27%，毛利率高达40%。江波龙作为综合性存储模组龙头，搭载自研主控的UFS4.1产品性能领跑行业，2025年一季度企业级存储收入3.19亿元，同比增长超200%，PCIe SSD（Peripheral Component Interconnect Express固态硬碟）产品完成鲲鹏、海光等国产CPU平台适配，订单排期已至2026年。

此外，英韧科技的企业级主控芯片累计部署量突破1亿颗，全面适配长江存储颗粒，在国产信创市场份额高速成长，相关产品已部署在上海银行、邮储银行数据中心。

设备与材料环节的国产替代同步推进，为存储芯片产业自主可控提供支撑。北方华创覆盖刻蚀、薄膜沉积设备，2025年上半年营收161.42亿元，同比增长29.5%；中微公司刻蚀设备收入增长40.1%，进入国际一线供应链；江丰电子存储靶材订单占长江存储70%，国产化率持续提升。上海新阳的光刻胶已满足14nm（纳米）需求，正在攻克7nm技术，逐步打破JSR、信越等海外企业的垄断。（待续）

（作者为外资投资基金董事总经理）